2016華中科技大學考博：半導體光電器件考試大綱
研究生院發布的 考博大綱 是考生們參考復習的權威資料，考試大綱包括了考試內容范圍、考試題型和分值分配，有時其中還會包括參考書目。請考生們認真閱讀。
(科目代碼： 3555 )
第一部分 考試說明
一、 考試性質
全國博士研究生入學考試是為高等學校招收博士研究生而設置的。它的評價標準是高等學校優秀碩士畢業生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有良好的電子學理論基礎，并有利于高等學校在專業上擇優選拔。
考試對象為參加當年全國博士研究生入學考試的碩士畢業生，或具有同等學力的在職人員。
二、 考試的學科范圍
考試內容包括：固體物理和半導體物理的基本概念與原理，以及其在光、電、熱方面的應用。考試要點詳見本綱第二部分。
三、 評價目標
本課程考試的目的是考察學生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解決光電器件領域相關問題的能力。
四、 考試形式與試卷結構
(1) 答卷方式：閉卷，筆試。
(2) 答題時間：180分鐘。
(3) 各部分內容的考查比例：滿分100分。
固體物理 約15%
半導體基本概念 約30%
半導體同質與異質結 約30%
半導體光電熱效應及器件 約35%
(4) 題型比例：
概念型(包括簡答、判斷、簡單計算等) 約20%
分析型 約20%
計算型 約60%
第二部分 考查要點
二、考察要點
1. 晶體結構與能帶理論
晶向、晶面、晶體點陣，點群的基本概念，幾種固體結合的特性，晶格振動，光學波、聲學波，晶格熱傳導，倒易空間，布里淵區
2. 半導體基本概念
金屬、半導體和絕緣體的區分，禁帶寬度，摻雜類型與濃度計算，晶體缺陷，費米分布函數，本征和雜質半導體的載流子濃度，電導率與遷移率及其與雜質濃度和溫度的關系，非平衡載流子的壽命與復合，載流子的遷移與擴散
3. 半導體同質與異質結
PN結及其能帶圖，PN結電流電壓特性，PN結電容與擊穿，歐姆接觸和肖特基接觸，表面態和MIS結構的CV特性，半導體異質結及其能帶結構，半導體量子阱，GaN機半導體異質結構
4. 半導體的光、電、熱效應及其器件
半導體光學常數和光吸收，光電導和光電探測器，半導體發光和發光二極管，熱電效應和溫差電動勢，太陽能電池與場效應晶體管工作原理及表征。
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