• <table id="gge6i"><kbd id="gge6i"></kbd></table>
    <li id="gge6i"><rt id="gge6i"></rt></li>
  • <table id="gge6i"><source id="gge6i"></source></table>
  • <noscript id="gge6i"><source id="gge6i"></source></noscript>
  • <bdo id="gge6i"></bdo>
  • 940°

    [考博復習資料]福州大學2017半導體物理學博士招生考試大綱_考博_旭晨教育

    福州大學2017半導體物理學博士招生考試大綱

    一、考試科目名稱: 半導體物理學

    二、招生學院和專業:物理與信息工程學院 微電子學與固體電子學

    基本內容:

    (一)半導體中的電子狀態

    半導體中的電子狀態和能帶,半導體中電子的運動、有效質量,本征半導體的導電機構、空穴,回旋共振(了解),硅和鍺的能帶結構,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構。

    (二)半導體中的雜質和缺陷能級

    硅、鍺晶體中的雜質能級,Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級,缺陷和位錯能級。

    (三)半導體中載流子的統計分布

    狀態密度,費米能級和載流子的統計分布,本征半導體的載流子濃度,雜質半導體的載流子濃度,一般 情況下的載流子統計分布,簡并半導體。

    (四)半導體的導電性

    載流子的漂移運動和遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質濃度和溫度的關系,玻耳茲曼方程,電導率 的統計理論,強電場下的效應和熱載流子,多能谷散射和耿氏效應。

    (五)非平衡載流子

    非平衡載流子的注入與復合,非平衡載流子的壽命,準費未能級,復合理論,陷阱效應,載流子的擴散 運動,愛因斯坦關系式,連續性方程。

    (六)金屬和半導體的接觸

    金屬半導體接觸及其能帶圖,金屬半導體接觸整流理論,少數載流子的注入和歐姆接觸。

    (七)半導體表面理論

    表面態、表面電場效應,MIS結構的電容-電壓特性,硅-二氧化硅系統的性質,表面電導及遷移率,表面電場對PN 結特性的影響。

    (八)半導體的光學性質和光電效應

    半導體的光學常數,半導體的光吸收,半導體的光電導,半導體的光生伏特效應,半導體發光。

    (九)半導體異質結構(了解)

    半導體異質結及其能帶圖、異質PN結的I-V特性及其注入特性、異質結量子井及其電子能態與特性

    參考書目 (包括作者、書目、出版社、出版時間、版次):

    1. 劉恩科、朱秉升、羅晉生等編著,《半導體物理學》,電子工業出版社.2007.12(主要參考書目)

    2. 黃昆等《半導體物理學》,科學出版社,1979

    3. 王長安等編,《半導體物理基礎》,上海科技出版社1985.10

    4. 田敬民編著《半導體物理問題與習題》,國防工業出版社2004.5

    5. 張安康,周鳳林編著,《半導體物理問題與習題》,江蘇科技出版社1992.7

    6. 施敏等,《半導體器件物理與工藝》,蘇州大學出版社2002年版

    7. R. M. Warner ,B. L. Grung 著,呂長志等譯,《半導體器件電子學》,電子工業出版社,2005

    8. 《固體物理學》謝希德、方俊鑫 上海科技出版社 1980.12





    已有 0 條評論

      我有話說:
    • <table id="gge6i"><kbd id="gge6i"></kbd></table>
      <li id="gge6i"><rt id="gge6i"></rt></li>
    • <table id="gge6i"><source id="gge6i"></source></table>
    • <noscript id="gge6i"><source id="gge6i"></source></noscript>
    • <bdo id="gge6i"></bdo>
    • 亚洲精品国产